三星对HBM4的积极投资，押注1C DRAM Challenge SK Hynix的主导地位

5月23日的《家》报道说，HBM4已成为记忆巨头的新舞台，三星通过积极投资通过SK Hynix关闭了该空间。技术媒体ZDNET韩国昨天（5月22日）报道说，三星计划在Hwaseong和韩国的Pyeongtaek扩大1C鼓（第六代10nm级别），相关投资将在年底之前推出。它引用了一篇博客文章，并介绍了SK Hynix和Micron选择了1B鼓作为HBM4的主要技术，而三星大胆地押注了更高级的1C DRAM，这表明三星有信心提高1C DRAM的产量。此外，有报道称，三星还考虑将17号生产线从1z鼓转换为今年年底，以进一步扩大生产能力。媒体指出，这是今年早些时候在Pyeongtaek第四公园（P4）上发布的第一条1C生产线，每月生产能力为30,000瓦夫。如果随后的扩张良好，则预计每月生产能力将增加到40,000件。韩国媒体Chosun Biz在4月报道说，三星的主要成分为12 -layer HBM4- 4NM逻辑芯片，在测试中的产量超过40％。 TrendForce预测需求强劲，HBM的总运输在2026年超过300亿千兆位，而HBM4超过2026年下半年的HBM3E是主要市场解决方案。